Тест и обзор ssd-накопителя samsung 860 evo 2tb: большой, быстрый, дорогой

Цена

Накопители линейки Samsung 860 QVO появились в Украине в начале нынешнего года и за прошедшее время уже успели немного подешеветь.

Samsung 860 QVO 1 TB (MZ-76Q1T0BW)
SSD накопители на

от 2 999 грн

Предложений: 4

Сравнить цены

Samsung 860 QVO 2 TB (MZ-76Q2T0BW)
SSD накопители на

от 5 865 грн

Предложений: 4

Сравнить цены

Модель объемом 1 ТБ производитель сейчас оценивает в 4000 грн. (~$145), тогда как версия на 2 ТБ предлагается за 8600 грн. (~$315). Наиболее емкая модификация на 4 ТБ пока еще не доступна в нашей стране. Если сравнивать стоимость с таковой для Samsung 860 EVO идентичного объема, то SSD на базе TLC стоят заметно дороже.

Samsung 860 EVO 2.5 1 TB (MZ-76E1T0BW)
SSD накопители на

от 3 225 грн

Предложений: 11

Сравнить цены

Samsung 860 EVO 2.5 2 TB (MZ-76E2T0BW)
SSD накопители на

от 5 799 грн

Предложений: 16

Сравнить цены

Так покупка модели на 1 ТБ обойдется в 5600 грн. ($205), а за 2-терабайтовую версию просят 11 000 грн. (~$400). То есть относительная разница в цене уже составляет 27–40%. Наверняка модели на 3D V-NAND QLC имеют дополнительный резерв для снижения стоимости. К этому также подталкивает общая ситуация на рынке твердотельных накопителей. Используя полный цикл производства SSD, у компании Samsung есть широкие возможности для ценовой корректировки.

Серия накопителей Samsung 860 QVO

Еще в конце осени прошлого года компания Samsung представила накопители серии Samsung 860 QVO на базе чипов 3D V-NAND с 4-битовыми ячейками памяти (QLC). Новая линейка включает модели объемом 1 ТБ, 2 ТБ и 4 ТБ. Даже по емкости предложенных SSD можно в целом судить о позиционировании устройств данного семейства. Твердотельные накопители большой емкости по доступной цене – мечта многих любителей поиграть, уставших постоянно освобождать место для установки очередного проекта.

Для накопителей Samsung 860 QVO используются 64-слойные микросхемы флеш-памяти с четырехбитовыми ячейками. По версии Samsung они обозначаются как 3D V-NAND MLC (4 бита). Это не попытка производителя каким-то образом утаить технические характеристики SSD, а всего лишь особенность интерпретации. Термин Multi Level Cell (MLC) предполагает ячейки с несколькими уровнями. При появлении MLC это было два бита, TLC –  три, QLC – четыре. Обозначение вида MLC (4 бита) хотя и менее распространено, но тоже остается корректным для чипов с 4-битовым ячейкам. Мы все же будем использовать более популярный сокращенный вариант QLC.

Для управления используется 8-канальный Samsung MJX – тот же производительный контроллер, что применяется и для старших накопителей серии 860 EVO. То есть на этом уровне никакой экономии нет. Очевидно Samsung проще унифицировать платформу для SSD различных классов, чем выпускать упрощенные версии контроллеров для устройств начального уровня.

Несмотря на принадлежность к бюджетному сегменту, для Samsung 860 QVO также используется дополнительный DRAM-кеш LPDDR4, причем значительного объема – по 1 ГБ на каждый терабайт общей емкости накопителя. Буфер должен улучшить производительность накопителя во время работы с мелкими блоками данных. Несмотря на использование памяти 3D V-NAND QLC, для SSD заявлены высокие скоростные параметры, как для SATA-устройств. Линейные скорости чтения/записи – до 550/520 МБ/c. Впрочем, показатели для записи данных требуют уточнения. Указанное значение достижимо при использовании SLC-кеширования, тогда как при записи непосредственно в режиме QLC скорость передачи данных снижается до 80 МБ/c для модели объемом 1 ТБ и до 160 МБ/c для накопителей емкостью 2/4 ТБ.

Чтобы компенсировать такие просадки производительности, для накопителей используется механизм SLC-кеширования Intelligent TurboWrite. Как и в случае с Samsung 860 EVO, для устройств на базе QLC предусмотрен комбинированный буфер солидного объема. Неизменная статическая его часть составляет 6 ГБ, а динамическая зависит от объема свободного пространства. Для модели на 1 ТБ емкость SLC-кеша может достигать 36 ГБ, а для версий на 2/4 ТБ – до 72 ГБ.

Что касается производительности во время работы с блоками 4К, то при очереди запросов QD32 она может достигать 96 000 IOPS на операциях чтения и до 89 000 IOPS при записи. Глядя на такие показатели, сложно определить использование микросхем со структурой QLC. Подобные значения характерны для добротных TLC-моделей.

Чипы с 4-битовой структурой ячеек потенциально выдерживают меньшее количество перезаписи данных, чем микросхемы для TLC. Вопрос надежности зачастую всплывает, как только речь заходит о накопителях на базе QLC. Устройства Samsung 860 QVO предлагают достаточно большие объемы гарантированной записи данных. TBW для модели на 1 ТБ составляет 360 ТБ, для 2 ТБ – 720 ТБ и 1440 ТБ для максимально емкой 4-терабайтовой версии. Это очень пристойные показатели, которые сравнимы с теми, что декларируются для хороших SSD на 3D TLC, тогда как у альтернативных моделей на QLC параметр TBW зачастую почти вдвое ниже. Например, для накопителей ADATA SU630, Intel 660p или Crucial P1 объемом 1 ТБ заявлены лишь 200 ТБ.

Конечно, Samsung 860 EVO предлагают еще больший гарантированный ресурс записи (600/1200/2400 ТБ), но и с Samsung 860 QVO при типичной «домашней» модели использования наверняка никаких сложностей не возникнет. Тем не менее, для устройств на базе 3D V-NAND QLC производитель установил гарантийный срок в 3 года, вместо 5 лет для накопителей Samsung старших линеек.